伟特森电子申请纵向均匀掺杂的离子注入方法专利保证注入的离子可以均匀地分布到材料表面到目标深度位置

2026-02-07 00:42:43

　　国家知识产权局信息显示，重庆伟特森电子科技有限公司;无锡锡产微芯半导体有限公司申请一项名为“一种纵向均匀掺杂的离子注入方法”的专利，公开号CN121419559A，申请日期为2025年10月。

　　专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种纵向均匀掺杂的离子注入方法，其包括以下步骤：步骤S1，设置离子注入机的能量为所需掺杂深度对应的最大能量Emax；步骤S2，在离子注入机的离子出口与待注入材料之间施加交变电场；步骤S3，根据注入离子的极性设定电场方向；步骤S4，控制交变电场的周期ta与离子束流在待注入材料表面的驻留时间T满足关系：T=k·ta，其中k为整数，且k≥1。本发明通过在离子束流与待注入材料之间引入交变电场，保证注入的离子可以均匀地分布到材料表面到目标深度位置，适用性好，实用性强。

　　天眼查资料显示，重庆伟特森电子科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2850万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆伟特森电子科技有限公司参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1个。

　　无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本330071.4286万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可15个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。